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IRFB4110PBF  与  IPP045N10N3 G  区别

型号 IRFB4110PBF IPP045N10N3 G
唯样编号 A-IRFB4110PBF A33-IPP045N10N3 G-0
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 370 W 210 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@75A,10V 4.5mΩ@100A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 370W(Tc) 214W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 180A 100A
系列 HEXFET® OptiMOS™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9620pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 210nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 1,000 500
工厂交货期 3 - 5天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
8+ :  ¥20.0273
10+ :  ¥15.6194
50+ :  ¥15.1402
100+ :  ¥14.5653
500+ :  ¥14.3736
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB4110PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 1,000 当前型号
AOT292L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥12.2449 

阶梯数 价格
1: ¥12.2449
100: ¥8.8235
500: ¥7.5949
1,000: ¥6
1,000 对比
IPP045N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP045N10N3GXKSA1_TO-220-3

¥20.0273 

阶梯数 价格
8: ¥20.0273
10: ¥15.6194
50: ¥15.1402
100: ¥14.5653
500: ¥14.3736
500 对比
IPP045N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP045N10N3GXKSA1_TO-220-3

暂无价格 500 对比
STP150N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥8.47 

阶梯数 价格
6: ¥8.47
75 对比
STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥1.7021 

阶梯数 价格
1: ¥1.7021
25: ¥1.4673
40 对比

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